高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.     

单离子束技术概述

 对单离子束的发展和应用作了介绍。结合我国首台单离子束装置CAS-LIBB，综合讨论了准直器限流型和静电透镜聚焦型两种典型单离子束的技术结构。限流型结构简单但定位精度有限，聚焦型条件苛刻但可获得亚微米束，是单离子束发展的趋势。评估了前探测、全前置探测和后探测3种单离子束探测方式及其特点，研究了这3种探测方式对辐照离子的计数精度和单离子束品质产生的影响。对CAS-LIBB装置研制了光导型全前置探测器以提高计数精度和束流品质。最后设计了快速荧光在线检测技术方案。     

工业X射线机的射束均匀性检验

在与法国某公司的合作项目中,对射线机的性能做了充分的评估,针对工业X射线机射束均匀性的检验给出了实验内容、过程和结果分析。实验所用射线机分别为ISOVOLT320/13与XYD-225/10,两台设备的实验结果均符合该公司质控文件规定,满足黑度差不超过0.3的要求。定期对射线机进行射束均匀性检验,将有利于监测射线机的工作状态,以保证检测工作的准确性和一致性。     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz，能量密度3 J/cm²，本底真空度5×10^-5 Pa的条件下，研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明：薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加，算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明：薄膜致密而光滑，均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明：薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明：NaF薄膜为面心立方晶体结构，并具有显著的择优取向；当衬底温度约为400 ℃时，平均晶粒尺寸最大(129.6 nm)，晶格微应变最小(0.225%)。     

1.2 MV大功率直流高压电源研制

 采用等边三角形结构的铁芯，次级线圈分成40级，分别进行三相全波整流，每级输出直流30 kV，串联后获得1.2 MV/A的直流高电压大功率输出。电源的能量转换效率大于95%，漏抗高达21.7%。采用无滤波电容结构，次级线圈星型/三角型接法交替使用，纹波系数小于±4%。整个电源密封在压力钢筒中，充0.8 MPa高纯度SF6气体作为绝缘介质，最大工作场强小于130 kV/cm。设计了专门的SF6气体冷却系统，气体温度控制在60 ℃以内，高电压由充气同轴传输线输出。在小负载条件下，电源各项指标满足技术要求，已经安装在1.2 MW，1.2 MeV大功率直流电子加速器上进行整机联调。     

一种研究自旋翻转散射效应的新方法

金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程，近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域．文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法．这种方法可以从磁电输运性质的测量，得出中间隔离层中的自旋翻转散射效应的温度和偏压关系，进一步可以得出诸如电子平均自由程和自旋翻转散射长度等自旋散射信息，以及中间层的态密度和量子阱信息．     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

Josephson Effect of Dilute Bose-Einstein Condensates in Laser-Modulated Double Wells

The Josephson effect of Bose condensates with a weak link created by superposing a far-off-resonant red-detuned laser beam on a double-well potential is theoretically considered. The numerical simulations show that there would be c/ear Josephson effect for this sort of three-well system. The present work gives a feasible scheme to study a new type of weak link which is crucial to investigate experimentally the Josephson effect.     

Well Crystallized α-GaOOH Nanocrystals Synthesized through Hydrothermal Routes and Their Properties

A facile hydrothermal process involving Ga(NO₃)₃·H₂O·NaN₃ solutions led to the formation of α‐GaOOH nano‐platelets. X‐ray diffraction (XRD) pattern revealed that the synthesized samples belonged to an orthorhombic crystal structure with lattice constants a=0.4510 nm, b=0.9750 nm and c=0.2965 nm. Transmission electron microscopy (TEM) studies showed that α‐GaOOH displayed the morphologies of an eccentric platelet‐like structure with 60–120 and 200–300 nm in the short and long axes, respectively. The average thickness of products was about 70 nm through scanning electron microscopy (SEM) images. The ultraviolet absorption of the samples was at 214 nm. The prepared α‐GaOOH nano‐platelets exhibited a broad emission band from 220 to 400 nm with a maximum at 343 nm under short UV excitation of 200 nm. Fourier transform infrared (FTIR) spectrum confirmed the existence of Ga₂O and Ga–OH bending modes. A possible mechanism for the formation of α‐GaOOH nano‐platelets was discussed briefly.